Intel promete um trilhão de transistores em pacote até 2030


Pesquisa da Intel fortalece a Lei de Moore, abrindo caminho para um trilhão de transistores até 2030

No IEDM 2022, o 75º aniversário do transistor, a Intel está buscando uma melhoria de 10 vezes na densidade da tecnologia de embalagem e usando um novo material com apenas 3 átomos de espessura para aumentar a escala do transistor.

O que há de novo: Hoje, a Intel revelou descobertas de pesquisa que alimentam seu canal de inovação para manter a Lei de Moore no caminho certo para atingir um trilhão de transistores em um pacote na próxima década. No IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2022, os pesquisadores da Intel apresentaram os avanços na tecnologia de empacotamento 3D com uma nova melhoria de densidade de 10x; novos materiais para dimensionar transistores 2D além do RibbonFET, incluindo material ultrafino com apenas 3 átomos de espessura; novas possibilidades em energia e eficiência de memória para computação mais eficiente; e avanços na computação quântica.

“Setenta e cinco anos após a invenção do transistor, a inovação por trás da Lei de Moore continua atendendo ao aumento exponencial da demanda global por computação. No MEI 2022, a Intel está apresentando os avanços de pesquisa de ponta e do mundo real necessários para superar as barreiras atuais e futuras, atender a essa demanda insaciável e manter a Lei de Moore viva nos próximos anos.

–Gary Patton, vice-presidente e gerente geral da Intel, pesquisa de componentes e capacitação de design

O que acontece no MEI: Para comemorar o 75º aniversário do transistor, a Dra. Ann Kelleher, vice-presidente executiva e gerente geral de desenvolvimento de tecnologia da Intel, realizará uma sessão plenária no MEI. Kelleher delineará caminhos para a inovação contínua do setor – reunindo o ecossistema em torno de uma estratégia baseada em sistemas para atender à crescente demanda global por computação e inovar com mais eficiência para avançar no ritmo da lei de Moore. A sessão “Vamos comemorar os 75 anos do transistor!” A Look at the Evolution of Moore’s Law Innovation”, acontece às 9h45 PST na segunda-feira, 5 de dezembro.

Por que isso é importante: A Lei de Moore é a chave para atender às insaciáveis ​​necessidades de computação do mundo, já que o aumento do consumo de dados e a tendência de aumento da inteligência artificial (IA) estão impulsionando a maior aceleração da demanda de todos os tempos.

A inovação contínua é a pedra angular da Lei de Moore. Nas últimas duas décadas, muitos dos principais marcos de inovação para melhorias contínuas de energia, desempenho e custo – incluindo silício tenso, porta de metal Hi-K e FinFET – em computadores pessoais, GPUs e data centers começaram com o Grupo de pesquisa de componentes da Intel. Outras pesquisas, incluindo transistores GAA (gate-all-around) RibbonFET, tecnologia de retroalimentação PowerVia e inovações de embalagem como EMIB e Foveros Direct, estão no roteiro hoje.

No IEDM 2022, o Grupo de Pesquisa de Componentes da Intel demonstrou seu compromisso com a inovação em três áreas principais para buscar a Lei de Moore: nova tecnologia de empacotamento de ligação híbrida 3D para permitir a integração perfeita do chip; materiais 2D ultrafinos para acomodar mais transistores em um único chip; e novas possibilidades em eficiência de energia e memória para computação de alto desempenho.

Como fazemos isso: Pesquisadores do Grupo de Pesquisa de Componentes identificaram novos materiais e processos que confundem a linha entre embalagem e silício. Revelamos os próximos passos críticos na jornada para estender a Lei de Moore a um trilhão de transistores em um pacote, incluindo um pacote avançado que pode atingir 10 vezes mais densidade de interconexão, levando a chips quase monolíticos. As inovações de hardware da Intel também identificaram opções práticas de design que podem atender às demandas de dimensionamento de transistores usando um novo material com apenas 3 átomos de espessura, permitindo que a empresa continue a dimensionar além do RibbonFET.

Intel apresenta chips quase monolíticos para embalagens 3D de próxima geração:

  • A mais recente pesquisa Hybrid Link da Intel apresentada no IEDM 2022 mostra uma melhoria adicional de 10 vezes na densidade de energia e desempenho em comparação com a apresentação da pesquisa IEDM 2021 da Intel.
  • O dimensionamento contínuo do link híbrido em pitch de 3um permite densidades de interconexão e larguras de banda semelhantes àquelas encontradas em conexões monolíticas de sistema em chip.

Intel se volta para materiais ‘2D’ ultrafinos para caber mais transistores em um único chip:

  • A Intel demonstrou uma estrutura de nanofolha empilhada em toda a volta usando material de canal 2D com apenas 3 átomos de espessura, ao mesmo tempo em que alcança a comutação de transistor quase ideal em uma estrutura de porta dupla em temperatura ambiente com baixo vazamento de corrente. Estes são dois avanços importantes necessários para empilhar transistores GAA e ir além dos limites fundamentais do silício.
  • Os pesquisadores também revelaram a primeira análise abrangente de topologias de contato elétrico para materiais 2D que podem abrir caminho para canais de transistores escaláveis ​​e de alto desempenho.

A Intel oferece novas possibilidades de eficiência de energia e memória para computação de maior desempenho:

  • Para usar a área do chip com mais eficiência, a Intel está redefinindo o dimensionamento desenvolvendo memória que pode ser colocada verticalmente acima dos transistores. Pela primeira vez na indústria, a Intel está introduzindo capacitores ferroelétricos empilhados que combinam com o desempenho dos capacitores de trincheira ferroelétricos convencionais e podem ser usados ​​para construir FeRAM em um chip lógico.
  • Um modelo de nível de dispositivo pioneiro no setor captura fases mistas e falhas para dispositivos hafnia aprimorados com ferroelétrico, marcando um progresso significativo para a Intel no suporte a ferramentas do setor para desenvolver novas memórias e transistores ferroelétricos.
  • Ao aproximar o mundo da transição além do 5G e resolver os desafios de eficiência energética, a Intel está construindo um caminho viável para wafers de GaN sobre silício de 300 milímetros. Os avanços da Intel nesta área demonstram um ganho 20 vezes maior do que o GaN padrão da indústria e estabelecem um valor recorde da indústria de fornecimento de energia de alto desempenho.
  • A Intel está fazendo incursões em tecnologias supereficientes de energia, especialmente transistores que não esquecem, retendo dados mesmo quando a energia é removida. Os pesquisadores da Intel já quebraram duas das três barreiras que impedem a tecnologia de ser totalmente viável e operacional em temperatura ambiente.

A Intel continua a introduzir novos conceitos em física com avanços na entrega de melhores qubits para computação quântica:

  • Os pesquisadores da Intel estão trabalhando para encontrar melhores maneiras de armazenar informações quânticas, reunindo uma melhor compreensão de vários defeitos de interface que podem atuar como distúrbios ambientais que afetam os dados quânticos.


“fim do comunicado de imprensa”